韓國(guó)國(guó)際貿(mào)易協(xié)會(huì)(KITA)周二公布的數(shù)據(jù)顯示，今年第一季度韓國(guó)出口同比下降12.6%，至1515億美元。主要由于芯片出口疲軟。
報(bào)告顯示，今年第一季度，芯片和其他中間產(chǎn)品的出口下降了19.5%，與去年同期9%的增長(zhǎng)相比出現(xiàn)了急劇轉(zhuǎn)變。特別是芯片出口同比減少了40%，鋼鐵出口減少了15.8%。
今年第一季度，韓國(guó)對(duì)中國(guó)的出口比去年同期下降了近30%，對(duì)越南和日本的出口也分別減少了25.2%和10.1%。
【資料圖】
2023全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)狀況與供需局面
由于存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)持續(xù)低迷，韓國(guó)芯片制造巨頭、蘋(píng)果供應(yīng)商SK海力士(SK Hynix Inc.)周三公布了創(chuàng)紀(jì)錄的季度運(yùn)營(yíng)虧損。不過(guò)該公司表示，各大存儲(chǔ)芯片制造商減產(chǎn)后，將從今年下半年開(kāi)始改善市場(chǎng)狀況。
這家全球第二大存儲(chǔ)芯片制造商公布，今年一季度營(yíng)業(yè)虧損3.4萬(wàn)億韓元(合25.4億美元)，上年同期盈利2.9萬(wàn)億韓元。這一結(jié)果符合分析師的預(yù)期。
這是SK集團(tuán)自2012年收購(gòu)海力士以來(lái)的最大虧損，也是繼去年第四季度虧損1.9萬(wàn)億韓元后，連續(xù)兩個(gè)季度出現(xiàn)虧損。
財(cái)報(bào)顯示，該公司一季度營(yíng)收同比下降58%，至5.1萬(wàn)億韓元。
SK海力士表示，公司虧損進(jìn)一步擴(kuò)大，主要是因?yàn)槿蚪?jīng)濟(jì)放緩令第一季度存儲(chǔ)芯片供過(guò)于求的局面惡化，導(dǎo)致價(jià)格下跌。
盡管SK海力士錄得創(chuàng)紀(jì)錄虧損，但由于公司表示未來(lái)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)將反彈，該公司股價(jià)周三早盤(pán)錄得上漲，目前上漲約3%。
存儲(chǔ)芯片的價(jià)格周期
從DRAM的價(jià)格周期看，自2012 年至今DRAM已經(jīng)經(jīng)歷了三輪周期。
*輪周期：2012年Q3至2016年Q2。其中2012年Q3至2014年Q2為周期上行，主要驅(qū)動(dòng)力為智能手機(jī)爆發(fā)，對(duì) DRAM 的需求增長(zhǎng);2014年Q3至2016年Q2周期下行，主要是因?yàn)楦鲝S商擴(kuò)產(chǎn)落地導(dǎo)致供大于求。
第二輪周期：2016年Q3至2019年Q4。其中2016年Q3至2018年Q2周期上行，主要驅(qū)動(dòng)力為主要的存儲(chǔ)芯片廠商轉(zhuǎn)移產(chǎn)能至3D NAND Flash，DRAM 無(wú)擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃;2018年Q3至2019年Q4周期下行，主要原因是中國(guó)和美國(guó)貿(mào)易摩擦導(dǎo)致全球下游需求萎靡，服務(wù)器、PC、筆記本電腦等需求不佳，DRAM供過(guò)于求。
第三輪周期：2020年Q1至今。其中2020年Q1至2021年Q2為周期上行，主要驅(qū)動(dòng)力為疫情下，線(xiàn)上經(jīng)濟(jì)、居家辦公等需求拉動(dòng)服務(wù)器、TV、PC 出貨激增， 5G 手機(jī)升級(jí)驅(qū)動(dòng)單機(jī)容量升級(jí)，帶動(dòng) DRAM 價(jià)格回升。2021年Q3至今為周期下行，原因是隨著智能手機(jī)等消費(fèi)電子需求步入低迷，存儲(chǔ)廠商持續(xù)去庫(kù)存。
NAND Flash與DRAM的價(jià)格周期波動(dòng)情況相似，自2012年至今也經(jīng)歷了三輪周期。
根據(jù)中研普華研究院《2023-2028年國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)設(shè)備行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)及發(fā)展策略研究報(bào)告》顯示：
從2021年下半年至今，DRAM和NAND Flash兩大內(nèi)存芯片價(jià)格已經(jīng)下跌長(zhǎng)達(dá)20個(gè)月。各存儲(chǔ)芯片廠商正在集中減產(chǎn)、應(yīng)對(duì)庫(kù)存問(wèn)題、節(jié)約資本開(kāi)支，并推遲先進(jìn)技術(shù)的進(jìn)展，以應(yīng)對(duì)存儲(chǔ)器需求的疲軟。
為了應(yīng)對(duì) 3DNAND 和 DRAM 內(nèi)存需求放緩的問(wèn)題，美光宣布將DRAM和NAND晶圓產(chǎn)量減少約20%，除此之外，美光還宣布將在2023年削減30%的資本開(kāi)支。
SK 海力士也宣布削減2023年的資本支出50%以上，并對(duì)收益較低的存儲(chǔ)產(chǎn)品進(jìn)行減產(chǎn)。隨后在今年年初，有臺(tái)媒報(bào)道SK海力士已調(diào)降供國(guó)內(nèi)設(shè)施使用的晶圓產(chǎn)量10%。
鎧俠也做出了減產(chǎn)動(dòng)作，調(diào)整日本四日市和北上NAND Flash晶圓廠的生產(chǎn)，晶圓生產(chǎn)量將減少約30%。
西部數(shù)據(jù)宣布NAND閃存產(chǎn)量減少30%。
就在近日，三星一改之前堅(jiān)決不減產(chǎn)的態(tài)度，宣布對(duì)存儲(chǔ)芯片進(jìn)行減產(chǎn)。三星電子表示，將把內(nèi)存芯片產(chǎn)量削減至“合理水平”，主要以PC內(nèi)存“DDR4”等通用產(chǎn)品為中心推進(jìn)。
隨著各家存儲(chǔ)器大廠紛紛大幅減產(chǎn)，存儲(chǔ)芯片供給端過(guò)?，F(xiàn)象將進(jìn)一步改善。近期，從海外三大存儲(chǔ)巨頭的預(yù)測(cè)來(lái)看，市場(chǎng)情況正在出現(xiàn)微妙變化。
據(jù)美光透露，存儲(chǔ)芯片庫(kù)存已至高點(diǎn)，后續(xù)有望迎來(lái)行業(yè)拐點(diǎn)。雖然目前存儲(chǔ)價(jià)格仍在下行，但廠商庫(kù)存壓力已達(dá)到峰值，后續(xù)有望逐步下降至安全水位。
SK海力士日前在股東大會(huì)上也透露，預(yù)計(jì)存儲(chǔ)芯片需求將在今年下半年復(fù)蘇，但不確定性依舊存在，公司今年資本開(kāi)支將減半，不會(huì)進(jìn)一步減產(chǎn)。
鎧俠也認(rèn)為隨著今年中國(guó)經(jīng)濟(jì)全面重啟，客戶(hù)庫(kù)存水平逐季降低，市場(chǎng)需求將于今年下半年復(fù)蘇。
在近日召開(kāi)的CFMS 2023峰會(huì)上，中國(guó)存儲(chǔ)龍頭長(zhǎng)江存儲(chǔ)的首席運(yùn)營(yíng)官程衛(wèi)華在演講中也提到，得益于智能手機(jī)、服務(wù)器和個(gè)人電腦制造商的需求訂單，全球NAND閃存市場(chǎng)的供需將在今年下半年達(dá)到平衡。
國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片擴(kuò)展到了8Gb
國(guó)產(chǎn)芯片又傳來(lái)好消息，近日，存儲(chǔ)芯片企業(yè)江波龍表示，其自主研發(fā)了SLC閃存芯片，容量從512Mb擴(kuò)展到了8Gb。
目前，存儲(chǔ)芯片中DRAM與閃存合計(jì)占比達(dá)到了95%，其中DRAM占比為52%，閃存芯片中，NAND占40%，NOR3%。
NOR閃存與NAND閃存有很大的區(qū)別，NOR型閃存更像內(nèi)存，有獨(dú)立的地址線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)，但價(jià)格比較貴，容量比較小，主要用來(lái)存儲(chǔ)代碼及少量數(shù)據(jù)，比較適合頻繁隨機(jī)讀寫(xiě)的場(chǎng)合，通常用于存儲(chǔ)程序代碼并直接在閃存內(nèi)運(yùn)行，NOR閃存通常用于瘦客戶(hù)機(jī)、機(jī)頂盒、打印機(jī)和驅(qū)動(dòng)器控制器。
而NAND型更像硬盤(pán)，地址線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)是共用的I/O線(xiàn)，類(lèi)似硬盤(pán)的所有信息都通過(guò)一條硬盤(pán)線(xiàn)傳送一般，成本要低一些，而容量大得多，主要用來(lái)存儲(chǔ)資料。
那么今天我們要說(shuō)的就是NAND閃存。
NAND閃存芯片又通常分為SLC、MLC、TLC以及QLC四種，他們之間有一定區(qū)別，各有優(yōu)缺點(diǎn)。
其中的SLC=Single-Level Cell，其優(yōu)點(diǎn)是速度快、壽命長(zhǎng)，約10萬(wàn)次擦寫(xiě)壽命，缺點(diǎn)是價(jià)格貴，成本約是MLC的3倍以上。
MLC=Multi-Level Cell，速度和壽命一般，約3000-10000次擦寫(xiě)壽命，價(jià)格也一般。
TLC=Trinary-Level Cell，速度慢、壽命短，約1500-3000次擦寫(xiě)壽命，價(jià)格便宜。
QLC=Quad-Level Cell，速度慢、壽命短，約500-1000次擦寫(xiě)壽命，但成本最低。
在機(jī)械硬盤(pán)中磁道是存儲(chǔ)的構(gòu)建塊，而在固態(tài)硬盤(pán)中，相同的功能則由單元提供，單元本質(zhì)上是一個(gè)門(mén)電路。每個(gè)單元可以存儲(chǔ)多少取決于固態(tài)硬盤(pán)使用的單元類(lèi)型，也就是SLC單層單元、MLC兩層單元、TLC三層單元和QLC四層單元。換句話(huà)說(shuō)，SLC每個(gè)單元只能存儲(chǔ)一位，MLC能存儲(chǔ)兩個(gè)，TLC存儲(chǔ)三個(gè)，QLC存儲(chǔ)四個(gè)。表面上是一種越大越好的情況，但實(shí)際并非如此。
例如，雖然使用QLC可以增加容量，但對(duì)于相同的存儲(chǔ)量，它需要的單元數(shù)是SLC的1/4。二將多個(gè)位寫(xiě)入單個(gè)單元需要更多時(shí)間，這樣就會(huì)影響固態(tài)硬盤(pán)的耐用性，這意味著SLC實(shí)際上是最快同時(shí)也最可靠的，但也要貴多。
具體到實(shí)際產(chǎn)品種，U盤(pán)一般采用TLC芯片。
固態(tài)硬盤(pán)中，主流的都采用MLC顆粒，價(jià)格適中，速度與壽命相對(duì)較好。但價(jià)格較低的固態(tài)硬盤(pán)，普遍采用TLC芯片顆粒，速度和壽命都一般。
《2023-2028年國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)設(shè)備行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)及發(fā)展策略研究報(bào)告》由中研普華研究院撰寫(xiě)，本報(bào)告對(duì)該行業(yè)的供需狀況、發(fā)展現(xiàn)狀、行業(yè)發(fā)展變化等進(jìn)行了分析，重點(diǎn)分析了行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀、如何面對(duì)行業(yè)的發(fā)展挑戰(zhàn)、行業(yè)的發(fā)展建議、行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力，以及行業(yè)的投資分析和趨勢(shì)預(yù)測(cè)等等。報(bào)告還綜合了行業(yè)的整體發(fā)展動(dòng)態(tài)，對(duì)行業(yè)在產(chǎn)品方面提供了參考建議和具體解決辦法。
